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Fuji 2MBI200U4B‑120‑50
Descripción general
Este módulo IGBT se utiliza en electrónica de potencia industrial para controlar y conmutar cargas de alto voltaje y alta corriente con eficiencia y confiabilidad.
Características principales
- Admite una conmutación eficiente en circuitos de alta potencia.
- Diseñado para su integración en sistemas de accionamiento e inversores industriales
- Proporciona un rendimiento térmico y eléctrico confiable.
- Adecuado para entornos industriales de servicio continuo.
Especificaciones técnicas
- Número de pieza: 2MBI200U4B‑120‑50
- Configuración: IGBT dual con diodos de rueda libre
- Corriente continua: 200 A
- Tensión colector-emisor: 1200 V
- VCE(sat): ~2,1 V a corriente nominal
- Voltaje de puerta-emisor: ±20 V
- Resistencia térmica (unión-caja): ~0,18 °C/W
- Velocidad de conmutación: rápida (optimizada para compuerta de trinchera)
- Estilo de montaje: Montaje en chasis con base aislada
- Rango de temperatura de funcionamiento: –40 °C a +150 °C
- Formato del paquete: Módulo de potencia
- Peso: ~300 g
Aplicaciones
- Inversores industriales y variadores de velocidad
- Sistemas de conversión y conmutación de potencia
- Equipos de control y distribución de energía
- Mantenimiento y sustitución en conjuntos electrónicos de potencia
¿Por qué elegir el 2MBI200U4B-120-50?
- Admite un rendimiento de conmutación estable en aplicaciones de alta potencia.
- Una opción práctica para proyectos de reemplazo o integración de sistemas.
- Adecuado para funcionamiento continuo en sistemas de energía industriales.
- Diseñado para su integración en conjuntos de semiconductores de potencia de Fuji Electric
Ordene ahora
El módulo IGBT Fuji 2MBI200U4B‑120‑50 está disponible y se envía a todo el mundo.
Descripción
Fuji 2MBI200U4B‑120‑50
Descripción general
Este módulo IGBT se utiliza en electrónica de potencia industrial para controlar y conmutar cargas de alto voltaje y alta corriente con eficiencia y confiabilidad.
Características principales
- Admite una conmutación eficiente en circuitos de alta potencia.
- Diseñado para su integración en sistemas de accionamiento e inversores industriales
- Proporciona un rendimiento térmico y eléctrico confiable.
- Adecuado para entornos industriales de servicio continuo.
Especificaciones técnicas
- Número de pieza: 2MBI200U4B‑120‑50
- Configuración: IGBT dual con diodos de rueda libre
- Corriente continua: 200 A
- Tensión colector-emisor: 1200 V
- VCE(sat): ~2,1 V a corriente nominal
- Voltaje de puerta-emisor: ±20 V
- Resistencia térmica (unión-caja): ~0,18 °C/W
- Velocidad de conmutación: rápida (optimizada para compuerta de trinchera)
- Estilo de montaje: Montaje en chasis con base aislada
- Rango de temperatura de funcionamiento: –40 °C a +150 °C
- Formato del paquete: Módulo de potencia
- Peso: ~300 g
Aplicaciones
- Inversores industriales y variadores de velocidad
- Sistemas de conversión y conmutación de potencia
- Equipos de control y distribución de energía
- Mantenimiento y sustitución en conjuntos electrónicos de potencia
¿Por qué elegir el 2MBI200U4B-120-50?
- Admite un rendimiento de conmutación estable en aplicaciones de alta potencia.
- Una opción práctica para proyectos de reemplazo o integración de sistemas.
- Adecuado para funcionamiento continuo en sistemas de energía industriales.
- Diseñado para su integración en conjuntos de semiconductores de potencia de Fuji Electric
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El módulo IGBT Fuji 2MBI200U4B‑120‑50 está disponible y se envía a todo el mundo.