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Fuji 2MBI200U4B‑120‑50
Visão geral
Este módulo IGBT é utilizado em eletrônica de potência industrial para controlar e chavear cargas de alta tensão e alta corrente com eficiência e confiabilidade.
Principais características
- Suporta comutação eficiente em circuitos de alta potência.
- Projetado para integração em sistemas de inversores e acionamentos industriais.
- Oferece desempenho térmico e elétrico confiável.
- Adequado para ambientes industriais de operação contínua.
Especificações técnicas
- Número da peça: 2MBI200U4B‑120‑50
- Configuração: IGBT duplo com diodos de roda livre
- Corrente contínua: 200 A
- Tensão coletor-emissor: 1200 V
- VCE(sat): ~2,1 V @ corrente nominal
- Tensão porta-emissor: ±20 V
- Resistência térmica (junção-carcaça): ~0,18 °C/W
- Velocidade de comutação: Rápida (otimizada para transistores de porta deslizante)
- Estilo de montagem: Montagem no chassi com base isolada
- Faixa de temperatura de operação: –40 °C a +150 °C
- Formato da embalagem: Módulo de alimentação
- Peso: ~300 g
Aplicações
- Inversores industriais e acionamentos de motores
- Sistemas de conversão e comutação de energia
- Equipamentos de controle e distribuição de energia
- Manutenção e substituição em conjuntos eletrônicos de potência
Por que escolher o 2MBI200U4B-120-50?
- Suporta desempenho de comutação estável em aplicações de alta potência.
- Uma opção prática para projetos de substituição ou integração de sistemas.
- Adequado para operação contínua em sistemas de energia industrial.
- Projetado para integração em conjuntos de semicondutores de potência da Fuji Electric.
Faça seu pedido agora
O módulo IGBT Fuji 2MBI200U4B‑120‑50 está disponível e é enviado para todo o mundo.
Descrição
Fuji 2MBI200U4B‑120‑50
Visão geral
Este módulo IGBT é utilizado em eletrônica de potência industrial para controlar e chavear cargas de alta tensão e alta corrente com eficiência e confiabilidade.
Principais características
- Suporta comutação eficiente em circuitos de alta potência.
- Projetado para integração em sistemas de inversores e acionamentos industriais.
- Oferece desempenho térmico e elétrico confiável.
- Adequado para ambientes industriais de operação contínua.
Especificações técnicas
- Número da peça: 2MBI200U4B‑120‑50
- Configuração: IGBT duplo com diodos de roda livre
- Corrente contínua: 200 A
- Tensão coletor-emissor: 1200 V
- VCE(sat): ~2,1 V @ corrente nominal
- Tensão porta-emissor: ±20 V
- Resistência térmica (junção-carcaça): ~0,18 °C/W
- Velocidade de comutação: Rápida (otimizada para transistores de porta deslizante)
- Estilo de montagem: Montagem no chassi com base isolada
- Faixa de temperatura de operação: –40 °C a +150 °C
- Formato da embalagem: Módulo de alimentação
- Peso: ~300 g
Aplicações
- Inversores industriais e acionamentos de motores
- Sistemas de conversão e comutação de energia
- Equipamentos de controle e distribuição de energia
- Manutenção e substituição em conjuntos eletrônicos de potência
Por que escolher o 2MBI200U4B-120-50?
- Suporta desempenho de comutação estável em aplicações de alta potência.
- Uma opção prática para projetos de substituição ou integração de sistemas.
- Adequado para operação contínua em sistemas de energia industrial.
- Projetado para integração em conjuntos de semicondutores de potência da Fuji Electric.
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O módulo IGBT Fuji 2MBI200U4B‑120‑50 está disponível e é enviado para todo o mundo.